| 字段 | 字段内容 |
|---|---|
| 001 | 01h0199356 |
| 005 | 20131009184645.0 |
| 010 | $a: 978-7-121-20188-2$d: CNY79.00 |
| 100 | $a: 20130604d2013 em y0chiy50 ea |
| 101 | $a: chi$c: eng |
| 102 | $a: CN$b: 110000 |
| 105 | $a: y a 000yy |
| 106 | $a: r |
| 200 | $a: 模拟CMOS电路设计折中的优化$A: mo ni CMOS dian lu she ji zhe zhong de you hua$d: = Tradeoffs and optimization in analog CMOS design$f: (美) David M. Binkley著$g: 冯军, 胡庆生等译$z: eng |
| 210 | $a: 北京$c: 电子工业出版社$d: 2013 |
| 215 | $a: 27, 523页$d: 26cm |
| 225 | $a: 国外电子与通信教材系列$A: guo wai dian zi yu tong xin jiao cai xi lie |
| 305 | $a: 本书简体中文字版专有翻译出版权由John Wiley & sons,Ltd.授予电子工业出版社 |
| 314 | $a: 责任者Binkley规范汉译姓: 宾克利 |
| 320 | $a: 有书目 |
| 330 | $a: 本书从崭新的视角给出模拟CMOS电路设计的折中和优化方法，提出了反型系数的概念，推出采用反型系数、漏极电流和沟道长度作为器件与电路设计的三个选项的设计方法。全书分为两部分，第一部分深入、细致地研究了三个选项对器件、基本电路各种性能的影响；对于诸如速度饱和、垂直电场迁移率减小、漏致势垒降低等短沟道效应以及热噪声、闪烁噪声和失配等高阶效应对器件和电路性能的影响给出较为深入、详细的介绍；在给出由基本物理概念推导得出公式的同时，本书常会给出适合于手工计算的简单表达式，以及设计选项对性能影响的变化趋势，并配以预测或实测的图表。第二部分采用CMOS工艺结合典型电路(运算跨导放大器和微功耗，低噪声前置放大器)设计进行实例介绍，给出了各种情况下电路优化设计的结果和相应的分析。 |
| 333 | $a: 本书可以用做已掌握了模拟电路设计的基本概念、部分功能电路的基本拓扑结构，对电路设计有更高要求的高等院校的研究生教材，也可以作为集成电路设计领域高水平技术人员很有价值的参考书。 |
| 410 | $1: 2001 $a: 国外电子与通信教材系列 |
| 500 | $1: 0$a: Tradeoffs and optimization in analog CMOS design$m: Chinese |
| 606 | $a: CMOS电路$A: CMOS dian lu$x: 电路设计$j: 教材 |
| 690 | $a: TN432.02$v: 5 |
| 701 | $a: 宾克利$A: bin ke li$g: (Binkley, David M. )$4: 著 |
| 702 | $a: 胡庆生$A: hu qing sheng$4: 译 |
| 801 | $a: CN$b: CUCL$c: 20131009 |
| 905 | $a: CUCL$b: 1216398-400$d: TN432.02$e: BKL$r: CNY79.00 |
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