借阅:0 收藏:0

= Tradeoffs and optimization in analog CMOS design /(美) David M. Binkley著 冯军, 胡庆生等译

ISBN/ISSN:978-7-121-20188-2

价格:CNY79.00

出版:北京 电子工业出版社 ,2013

载体形态:27, 523页 ;26cm

丛编:国外电子与通信教材系列

简介:本书从崭新的视角给出模拟CMOS电路设计的折中和优化方法,提出了反型系数的概念,推出采用反型系数、漏极电流和沟道长度作为器件与电路设计的三个选项的设计方法。全书分为两部分,第一部分深入、细致地研究了三个选项对器件、基本电路各种性能的影响;对于诸如速度饱和、垂直电场迁移率减小、漏致势垒降低等短沟道效应以及热噪声、闪烁噪声和失配等高阶效应对器件和电路性能的影响给出较为深入、详细的介绍;在给出由基本物理概念推导得出公式的同时,本书常会给出适合于手工计算的简单表达式,以及设计选项对性能影响的变化趋势,并配以预测或实测的图表。第二部分采用CMOS工艺结合典型电路(运算跨导放大器和微功耗,低噪声前置放大器)设计进行实例介绍,给出了各种情况下电路优化设计的结果和相应的分析。

附注:本书可以用做已掌握了模拟电路设计的基本概念、部分功能电路的基本拓扑结构,对电路设计有更高要求的高等院校的研究生教材,也可以作为集成电路设计领域高水平技术人员很有价值的参考书。

统一题名:Tradeoffs and optimization in analog CMOS design

中图分类号:TN432.02

责任者:宾克利 ((Binkley, David M. )) 著 冯军 译 胡庆生 译

  • CMOS电路
  • --电路设计

  • 评分:
  • 加入暂存架

豆瓣内容简介:

本书从崭新的视角给出模拟CMOS电路设计的折中和优化方法, 提出了反型系数的概念, 推出采用反型系数、漏极电流和沟道长度作为器件和电路设计的三个选项的设计方法。全书分为两部分, 第一部分深入、细致地研究了三个选项对器件、基本电路各种性能的影响;对于诸如速度饱和、垂直电场迁移率减小、漏致势垒降低等短沟道效应以及热噪声、闪烁噪声和失配等高阶效应对器件和电路性能的影响给出较为深入、详细的介绍;在给出由基本物理概念推导得出公式的同时, 本书常会给出适合于手工计算的简单表达式, 以及设计选项对性能影响的变化趋势, 并配以预测或实测的图表。第二部分采用CMOS工艺结合典型电路(运算跨导放大器和微功耗, 低噪声前置放大器)设计进行实例介绍, 给出了各种情况下电路优化设计的结果和相应的分析。其中, 值得一提的是本书介绍了一种采用模拟CMOS设计、折中和优化电子数据表的设计方法。采用该方法, 设计者可以通过调整MOS器件的漏极电流, 反型系数和沟道长度, 对模拟CMOS电路进行快速的初始优化, 并观察所得到器件和完整电路的性能。这种设计方法在设计之初就为设计者提供了一种设计直觉和今后优化的方向。

豆瓣作者简介:

    暂无内容

分馆名 馆藏部门 图书条码 索书号 登录号 卷期 状态
A 流通部 1216398 TN432.02/BKL 1216398 在架可借
A 流通部 1216400 TN432.02/BKL 1216400 在架可借
A 流通部 1216399 TN432.02/BKL 1216399 在架可借
序号 图书条码 索书号 登录号 藏书部门 流通状态 年卷期 装订册 装订方式 装订颜色
    类型 说明 URL
    评 论
    评分:
    发表
    >

    Copyright © All Rights Reserved. 中国传媒大学图书馆 / 京 ICP 备 10039564 号 京公网安备 110402430031 号

    欢迎第721256位用户访问本系统